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電子器件（jiàn）所能承受靜電破壞的靜電電壓是（shì）多少，相信大家（jiā）都（dōu）不知道吧，下麵我們就一（yī）起來看看吧。
以下是一些參考資料中給出（chū）的（de）數據：
器件類型 | 靜電破壞電壓(V) | 器件（jiàn）類型（xíng） | 靜電破（pò）壞電壓(V) |
VMoS | 30～1800 | OP-AMP | 190～2500 |
M0SFET | 100～200 | JEFT | 140～1000 |
GaAsFET | 100～300 | SCL | 680～1000 |
PROM | 100 | STTL | 300～2500 |
CMoS | 250～2000 | DTL | 380～7000 |
HMOS | 50～500 | 肖特基二（èr）極管 | 300～3000 |
E／DMOS | 200～1000 | 雙極（jí）型晶體管 | 380～7000 |
ECL | 300～2500 | 石英（yīng）壓電晶體 | ＜10000 |
從上表可（kě）見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在幹燥的環境（jìng）中人活動所產生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。
要想獲得某個元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗才能測得。按照國（guó）內標準，一般使用靜電（diàn）放電敏感度測試儀：
電子元器（qì）件靜電敏感（gǎn）度的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半導體靜電放（fàng）電模擬試驗器，而用電子元器件組裝成組件、整機的電子設備靜電試驗則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。
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