
電磁兼容實(shí)驗室是為了進行電磁兼容試驗而建立的一類特(tè)殊的實驗室。首先解釋(shì)一下電磁兼容的基本概念:指(zhǐ)電磁係統(tǒng)、分(fèn)係統在各自 的電磁環境中能正常工作而不因(yīn)受到 電磁幹擾降低工(gōng)作性能的能力。對於 給定的電(diàn)磁係統或(huò)分係統,電磁兼(jiān)容具 有兩(liǎng)方麵的含義:(1)本係統或分係統 不受其他係統或分係(xì)統(tǒng)的幹擾而影響 工作性能;(2)本係統(tǒng)或分係統也不對 其他係統或分係統產生上(shàng)述幹擾。電 磁兼容性工作可分為兩(liǎng)個方麵,一(yī)方麵 是無線電管理措施,如采用頻率分配和(hé) 時(shí)間分割的手段使係(xì)統之間不構(gòu)成幹 擾;另一方麵是各種技(jì)術措施,即采(cǎi)用(yòng) 屏蔽、濾波及(jí)合理的(de)布線、接地等措施 抑製幹擾。
為了(le)規範電子或其他產品的電磁兼容性,需要根據相關的標準或(huò)者國家標準進行相關的電磁(cí)兼容試驗,而電磁兼容試驗(yàn)進行的場所即是電磁兼容實驗室。完整係統的電磁兼容實驗室一(yī)般(bān)包括電波暗室和屏蔽室兩類。
完整係統的電磁兼容實驗室一般包括電波暗室和(hé)屏蔽室兩類。首先介紹電波暗室。
電(diàn)波暗室是進行輻射發射試驗和輻射抗擾度試驗的(de)場(chǎng)所(suǒ)。根據測試距離,分為3m法暗室、10m法暗室。十米(mǐ)跟三米的含義(yì)是指待測(cè)試品(以下簡稱EUT)距離天線的(de)距離。十米法暗室(shì)一般為十米法半電波暗室,是指除地麵(miàn)以外的其他(tā)五麵都是鋪設了吸波材料的密閉空間,地麵為金屬地麵,能夠模擬無反(fǎn)射的空闊場地。10m法半電波暗室可進行輻射發射試驗和輻射抗(kàng)擾度試驗,以(yǐ)及(jí)屏蔽效能試驗等電磁兼容試驗。結(jié)合輻射騷擾、輻射抗擾度測試係統,達到如下要(yào)求:
l 10m法電波暗室滿足CISPR16-1-4,ANSI 63.4,CISPR11,CISPR22,CISPR25,IEC61000-4-3,GJB 152A,GB 12190等標準(zhǔn)對輻射騷擾和抗擾度測試場地(dì)的要求。
l 輻射騷擾測試係統滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4, CISPR16-2-1/-2/-3/-4,CISPR11,CISPR 22等標準的輻射騷擾自動化測(cè)試對電磁兼容性(EMC)測試係統的全部要求。
l 輻(fú)射(shè)騷擾測試係統滿足CISPR16-1-1/-2/-3/-4,CISPR16-2-1/-2/-3/-4,IEC61000-4-3等標準的輻射抗擾度自動化測試對電(diàn)磁兼容性(EMC)測試(shì)係統的全部要求。
l 能夠進行(háng)CISPR11,CISPR 22,以及相應國標規定的各類電(diàn)子設備、通訊設備(bèi)、汽車電子設備、工業、科學和醫療設備等的輻射騷擾測(cè)試。
l 能夠進行IEC61000-4-3,GB 17619,DL/T 1087,DL/Z 713,等標(biāo)準規定(dìng)的各類電(diàn)子設(shè)備、通訊設備、汽車電子(zǐ)設備、變電站(zhàn)和(hé)換(huàn)流站二次設備等的輻射(shè)抗擾度測試。
l 10m法電波(bō)暗室和輻射騷(sāo)擾、輻射抗擾度測試係統性能具有一(yī)定(dìng)的前瞻性,適應電磁(cí)兼容測試技術(shù)及標準的發展方向。
10m法電(diàn)波(bō)暗室主要有五大技術(shù)指標分別是:屏蔽效能(néng)、歸一化(huà)場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性和環境(jìng)噪聲。10m法電波暗室主要(yào)包括(kuò):暗室本體、屏(píng)蔽控製室、屏蔽負載室、屏蔽(bì)功(gōng)放室、轉轂工作室(shì)等幾部分。10m法電波(bō)暗室的主要(yào)設施有(yǒu):屏蔽體和鋼結(jié)構,屏蔽門,吸波材料,轉台和轉轂,天線塔,濾波器等。
3m法電波暗(àn)室(shì)一般為可進行(háng)半/全轉換的電波暗室。所謂(wèi)全電波暗室,是指六(liù)個麵鋪設吸波材料的電波暗室,可進行(háng)輻射抗擾度試(shì)驗(yàn);所謂半電波暗室,是指地麵(miàn)為金屬(shǔ)地麵,其他五個麵為吸波材料的電波暗室。三米法電波暗室可進行半/全電波暗室(shì)的轉換。方便測試需求。
屏蔽室是指采用(yòng)拚接結構或者焊(hàn)接結(jié)構的六(liù)麵(miàn)體金屬房間,以中國(guó)電(diàn)科院電磁兼容實驗室的屏蔽室來舉例(lì),屏蔽效能(SE)在10kHz~150kHz頻(pín)段內達到90dB以上,在150kHz~18GHz頻段內達到110dB以上。能夠(gòu)滿足標準要求。屏蔽室內可進行(háng)GB17626係列(liè)和(hé)GB17625係列的24項電磁兼容試驗。
電磁兼容實(shí)驗室檢(jiǎn)測項目匯總
測(cè)試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備(bèi)注 |
10m法半電波(bō)暗室 | 輻射發射 | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 30MHz |
輻射抗擾(rǎo)度 | GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002) | 80MHz |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
3m法全電(diàn)波暗室 | 輻射(shè)發射(shè) | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 30MHz |
輻射抗(kàng)擾度 | GB17626.3-2006(IEC61000-4-3:2002) | 80MHz |
測(cè)試場(chǎng)地 | 試驗項目 | 標(biāo)準 | 備注 |
傳導幹擾測量屏蔽室 | 傳導發射 | GB4824-2004(CISPR11-2003) GB9254-2008(CISPR22-2006) | 9KHz-30MHz 交流 3*690V 200A 直流(liú) 1000V 75A |
騷擾功率 | GB4343.1 | 30MHz-300MHz | |
喀嚦聲 | GB4343.1 |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注(zhù) |
傳導抗擾測量屏蔽室 | 電快(kuài)速瞬變(biàn)脈(mò)衝群抗擾度(dù)試驗 | GB17626.4 | .高.可達7kV |
射頻場感應的傳導騷擾抗擾(rǎo)度 | GB17626.6 | .高.可達30V | |
電氣照明及(jí)類似設備插(chā)入損耗試驗 | GB17743 | 9KHz-30MHz | |
電氣照明及類似設備輻射(shè)電磁騷擾試驗 | GB17743 |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
諧波閃(shǎn)爍測量屏蔽室 | 諧波電流發射試驗 | GB17625.1-2012(IEC 61000-3-2:2009) GB17625.6-2003(IEC 61000-3-4:1998) GB17625.7-2013 | .高.可達75A |
電壓變化、電壓波動和閃爍 | GB17625.2-2007(IEC 61000-3-3:2005) GB17625.3-2000(IEC 61000-3-5:1994) | .高.可達100A | |
交流電源端口諧波抗擾度 | GB17626.13-2006(IEC 61000-4-13:2002) | .高.可(kě)達100A | |
電壓波動抗(kàng)擾度試(shì)驗 | GB17626.14-2005(IEC 61000-4-14:2002) | .高(gāo).可達100A | |
直(zhí)流紋波抗擾度 | GB17626.17-2005(IEC 61000-4-17:2002) | .高.可達100A | |
三相電壓不平衡試驗 | GB17626.27-2006(IEC 61000-4-27:2000) | .高.可達100A | |
工頻頻率變化抗擾度 | GB17626.28-2006(IEC 61000-4-28:2001) | .高.可達100A | |
大於16A電壓暫降、短時中斷和電壓變化 | GB17626.34-2012(IEC 61000-4-34:2009) | .高.可達100A | |
直流電源輸入端口電壓暫降、短時中斷和電壓變化 | GB17626.29-2006(IEC 61000-4-29:2000) | .高.可達100A | |
測試場地 | 試驗項目(mù) | 標(biāo)準 | 備注 |
靜電放電測量屏蔽室 | 靜電放電抗擾度試驗 | GB17626.2-2006(IEC 61000-4-2:2001) | .高.可達30kV |
電壓暫降、短(duǎn)時中斷(duàn)和電壓變化 | GB17626.11-2008(IEC 61000-4-11:2004) | .高.可(kě)達100A;斷電(0-100%) | |
低頻共模傳導抗(kàng)擾(rǎo)度(dù) | GB17626.16-2007(IEC 61000-4-16:2002) | .高.騷擾電平(píng)30V |
測試場地 | 試驗項目 | 標準 | 備注 |
瞬態(tài)抗擾測量屏蔽(bì)室 | 浪湧(yǒng)抗擾度 | GB17626.5-2008(IEC 61000-4-5:2005) | .高.可達(dá)10kV |
阻尼振蕩磁場抗擾度 | GB17626.10-1998(IEC 61000-4-10:1993) | .高.可達3kV;三(sān)相440V /100A; | |
振蕩波抗擾度試驗 | GB17626.12-1998(IEC 61000-4-12:1995) | .高.可達3kV;三相440V /100A | |
工頻磁場抗擾度 | GB17626.8-2006(IEC 61000-4-8:2001) | 短時可(kě)達1000A/m | |
脈衝磁場抗(kàng)擾度(dù) | GB17626.9-2011(IEC 61000-4-9:2001) | .高.可達2000A/m |
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