
1 概述
2 開關電源傳(chuán)導騷擾
2.1 傳導發射的(de)產生
開關電源的傳導騷擾是通過電源的輸入電源線向外傳播的電(diàn)磁幹(gàn)擾。在開關電源輸入電源線中向外傳播的騷(sāo)擾,既有(yǒu)差模騷擾、又有共模騷擾,共模騷擾(rǎo)比差模騷擾產生更(gèng)強的(de)輻(fú)射騷擾。傳(chuán)導騷擾的(de)測試(shì)頻率(lǜ)範圍(wéi)為150KHz~30MHz,限值要求如下表1 所示:
在0.15MHz~1MHz 的頻率(lǜ)範圍內,騷擾主要以共模的(de)形式存在(zài),在1MHz~10MHz 的頻率範圍內,騷擾的形式(shì)是差模和共模共存,在10MHz 以上,騷擾的形式主要以共膜(mó)為主。傳(chuán)導發射的差(chà)模騷擾(rǎo)的產生主要是由於開關管工作在開關狀態,當開關管開通時,流過電源線的電流線形上升,開關管(guǎn)關斷時電流突(tū)變為0,因此流過電源線的電(diàn)流為高(gāo)頻的三角脈動電流,含有豐富的高頻諧波分量,隨著頻率的(de)升高,該諧波分(fèn)量的幅度越來越小,因此(cǐ)差模騷擾隨頻率的升高而降低,另外,如下圖1 所示,由於電容C5 的存在,它與電感L3 組成低通濾波器,因此(cǐ),差模傳導騷擾主要存在低頻率段。
共模騷擾的產(chǎn)生主要原因是(shì)電源與大地(保護地(dì))之間存在有分布電容,電路中方波電壓的高頻諧波分量通過分(fèn)布電容傳入大(dà)地,與電源線構成回路,產生共(gòng)模騷擾。
如上圖 1 所示,L、N 為(wéi)電源輸入,C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 組成輸入EMI 濾波(bō)器,DB1 為整流橋,L1、VD1、C6 和VT2 為功率因數矯正主電路(lù),VT2 為開關管,開關管的D 極與管子的散熱器相(xiàng)連,開關管安裝在散熱器上時(shí),與散熱器之間形成一個(gè)耦合電容,如圖1 中的C7 所示,開關管VT2 工作在開(kāi)關狀(zhuàng)態(tài),其D 極的電壓為高頻方波,方波的頻率為開關管的開關頻率,方波中的各次諧波就會通過耦合電容、L、N 電源(yuán)線構成回路,產生共模騷擾。電(diàn)源與大地的分布(bù)電容比(bǐ)較分散,難以(yǐ)估算,但(dàn)從上麵的圖1 來看,開關管(guǎn)VT2 的D 極與散熱器之間耦合電容的作用最大,在上(shàng)麵的(de)圖1 中,從整(zhěng)流橋到電感L3 之間的電壓(yā)為100Hz 的工頻波形,而從電感L3 到二極管VD1 和開關管VT2D 極之(zhī)間(jiān)的連線的電壓均為方波電壓,含有大量的高(gāo)次諧波。其次電感L3 的(de)影響也比較大(dà),但L3 與機殼的距離比較遠,分布電容比開關(guān)管和散熱器之間的耦合電容小(xiǎo)的多,因此我們主要考慮開關管與散熱器(qì)之間(jiān)的耦合電容。
2.2 傳導騷擾的解決方法
2.2.1 EMI 濾波器
解決(jué)傳導騷擾目前大(dà)都采用(yòng)無源濾波器,如上圖 1 中所示,C1、C2、C3、C4、C5、L1、L2 組成(chéng)一個EMI 濾波器,L1、L2 是兩個共模電感,一般來說,在共模電感當中,含(hán)有20%左右的差模電感,與電容C1、C2、C3 構(gòu)成差模濾波器,C4、C5 是共模電容,與電感(gǎn)L1、L2 構成共模濾波器。
共模電感(gǎn)量的計算:
假設開關管(guǎn)集電極的幹(gàn)擾電壓在 400V 左右,轉(zhuǎn)換成dB(μV)為:
傳導發(fā)射測試設備內部的去耦(ǒu)網絡(LISN)內阻(zǔ)Zin 標準為50Ω。則耦合電容C7 與測(cè)試(shì)設備去耦網絡的內阻Zin 對騷擾電(diàn)平的衰減為:
則:如果不加(jiā)EMI 濾波器(qì)時(shí),電源輸出端(duān)口(kǒu)所(suǒ)測得的騷擾(rǎo)電平為:
表 1 中(zhōng)A 級電源端口傳導限(xiàn)值的要求為79 dB(μV),顯然大大超過了限製(zhì)的要求。則需要濾波器在 150KHz 處的衰減為:
112-79=33 dB,考慮到至少有6dB 的裕量,EMI 濾波器的在150KHz 處的衰減應大於39dB,我們取40dB。二階(jiē)濾波器(qì)的衰減特性是-40dB/10 倍頻,在圖1 中有兩(liǎng)個二階濾波器,衰減特性是-80dB/10 倍(bèi)頻,則濾(lǜ)波器的轉折頻率(lǜ)應在:47KHz 左右,考慮到其他因素的影響,濾波器的轉折頻率(lǜ)取為40KHz。
共模電容 C4、C5 取(qǔ)4700P(考慮到漏電流(liú)的問題,不能取(qǔ)太(tài)大),則:C=C4+C5=9400P。
根據
計算(suàn)得:L=1.7mH
在設計EMI 濾波器的時候,為了有效(xiào)的抑製騷(sāo)擾信號的目的,必須對濾波器兩端將(jiāng)要連接的源阻抗(kàng)進行合(hé)理的搭配,當濾波(bō)器的輸(shū)出阻抗Zo 和負載阻抗RL 不相等時,在這(zhè)個端口會產生,反(fǎn)射係數ρ由下式來定義:
當 Zo 和RL 相差(chà)越大,端口產生的(de)反射越(yuè)大。
EMI 濾波器中的共模電感含有20%左右的差模電感,與X2 電容構成差模濾波器,在(zài)上麵的原理圖中,X2 電容C1、C2、C3 對傳導騷擾的低頻端(duān)影響比(bǐ)較大,主要原因是因為在低頻段,騷擾(rǎo)的方式主要以差模的方式存在,增大C1、C2、C3,可(kě)以減(jiǎn)小低(dī)頻段的騷擾電平,但(dàn)取值一般不超過(guò)0.47~2.2μF,如果適當增大電容,低頻段仍然超標,可以增加(jiā)差模電感(gǎn)來解決。
2.2.2 其他方法
EMI 濾波(bō)器是采用切斷傳播途徑(jìng)的方法來減小傳導發射的騷擾電平,另外我們也可以從發射的源來著手,減小發射源向外發(fā)射的電平。
1:如下(xià)圖2 所示:
圖2 中,在PFC 升壓電感上增加一個輔助繞組,該繞組的匝數與主繞組相同,方向與主繞組相(xiàng)反,C7 是開(kāi)關管與(yǔ)散熱器之間的耦合(hé)電容,如圖所示增加一個與C7 容量大致相同(tóng)的一個電容接到散熱器與輔助繞組之間,這樣C7、C8 耦合到散熱器的騷擾信號幅(fú)度相(xiàng)同,方向(xiàng)相反,兩個信號(hào)剛好可以相互(hù)抵消,大大減小(xiǎo)向外發射的騷擾電平。
2:如下圖3 所(suǒ)示:
在圖3 中,增加一個高頻電容C8,接在開關(guān)管散熱器(qì)與輸出(chū)地(dì)之間,該電容(róng)與散熱器(qì)的(de)連接處(chù)離開關管越近越好,該電容選(xuǎn)用安(ān)規電容,容量在4700P 到0.01μf 之間,太大會使(shǐ)電源(yuán)的(de)漏電流超標,經過電容C7 耦合到散熱器上的(de)騷擾信號經過C8 衰減,衰減的係(xì)數為
由於 C8 比C7 大許多,上式可以(yǐ)簡化為(wéi):
可見,假設 C7 為30P,C8 為4700P,則向外發射的騷擾信號被衰減了157 倍,近45dB。
3 開關電源的輻射騷(sāo)擾
3.1 輻射騷擾的空間傳輸(shū)
1. 遠(yuǎn)場和近場
電磁能量以(yǐ)場的形式向四周傳播,就形成了輻射騷擾,場可以分(fèn)為近場、和遠場,近場又稱為感(gǎn)應場,它的性質與場源有密切的關(guān)係,如果場源是高電壓小電流的源,則近場主要是電場,如果場(chǎng)源是低壓大電流,則場源主要是磁場。無論近場是磁場或是電場(chǎng),當離場源的距離大於λ/2π時,均變成遠場,又稱為輻(fú)射場。
由於開關電源(yuán)工作在高電壓,大電流(liú)的狀態下,近場(chǎng)即有(yǒu)電場,又有磁場。
2. 騷擾的輻射方式
● 單點輻射,主要模擬各相(xiàng)同性的較小的輻(fú)射源,輻(fú)射的強度可表示為:
式中,P 表示發射的功率(lǜ),r 表示離發射源的(de)距離。可見,單點輻(fú)射強度與距離成反比,與發射源的功率的(de)平方(fāng)根成(chéng)正比。
● 平行雙線環路的輻射
主要模(mó)擬(nǐ)差模電流回路的輻射源,其輻射強(qiáng)度可(kě)以表示為(wéi):
式中 A 為差(chà)模電流所包圍(wéi)的麵積,I 是差模電流的大小,r 是離輻射(shè)源(yuán)的距離,λ是波(bō)長(zhǎng)。可見差模輻射強度與差模電流的大小和差模電流所(suǒ)包圍的麵積成正比,與距離成(chéng)反比,與頻率的(de)平方成正比。
因此應在高頻噪聲源(yuán)處加高頻去耦電容,以免高(gāo)頻噪聲流入電源回路中。
● 單導線的輻射
單(dān)導(dǎo)線的輻射公式可以(yǐ)用來估算共模電流產(chǎn)生的(de)輻射的大小:
式中,I 是共模電流的大小,r 是到共模電流源的距離, l 是導線的長度(dù),λ是波(bō)長。
3. 共模電流輻射
兩根相近的導線,如果(guǒ)流過差模電流,則導線產生的電磁場由(yóu)於方向相反(fǎn),大小(xiǎo)相等(děng)而相互抵消,但如果(guǒ)流過共模電流,時兩根導線產生的(de)電磁場相互疊加。因此大小相同(tóng)的共模電流所產生的空間輻(fú)射要比差(chà)模電流產生的空間輻射強度(dù)大的多,根據實驗,兩者(zhě)的輻(fú)射強度相差上(shàng)千倍。所以,開關電(diàn)源的輻(fú)射主要是(shì)由共模電流引起的。
● 共模電流輻射的基本模式
共模輻射有兩種驅動模式(shì),一種是電流驅動模式(shì),一種(zhǒng)是電壓驅動模式(shì),在開關電源中,起主要作用的主要是電壓驅動模式。
● 產生共模輻射的條(tiáo)件
產生共模輻射(shè)的條件有兩個,一是(shì)共模(mó)驅動源,一個是共模天線。
任何兩個金屬體之間存在射頻電位差,就構成一副不對稱振子(zǐ)天線,兩個金屬導體分
別是天線的兩個極,對於一個開(kāi)關(guān)電源來說,如下圖所(suǒ)示:
圖(tú)4 中C7 是開關管和散熱器之間的耦合電容,散熱器和與開關管(guǎn)D 極相連接的印製線為天線的兩個極,在分析時可(kě)以簡化為下圖5:
圖中,Vs 為騷擾源,對圖4 來說,就是開關管VT2 的D 極,L1、L2 相當於天線的兩個極,一個極是與開關管D 極相連的印製線,另外一個極是散熱器(qì)及與之相連的接地線,C是天線兩極(jí)之(zhī)間的耦合(hé)電容,即圖4 中開關管與散(sàn)熱器之間的耦合(hé)電容。
共模輻射主要(yào)有天線上的共模電流的大小決定,因(yīn)此,天線兩極 L1、L2 之間的耦合電容越大,輻射功率越大。
另外,當天線的兩個極的總長度大於λ/20時,才能向外(wài)輻(fú)射能量,並且(qiě)當天(tiān)線的長度與騷擾源的(de)波長滿足下列條件時,輻(fú)射能量才最大。
3.2 開關電源的輻射源(yuán)
要解決和減小開關電源的電磁輻(fú)射,首先要了解開關電源的輻射源在那(nà)兒。對於一(yī)個(gè)前級帶有PFC 功率因數矯(jiǎo)正電路的開關電源來說,輻射騷擾的(de)源主要(yào)分布下麵幾個地方(開關電源中的輻射源例如驅(qū)動等,相對於下麵所列的要弱的多,所以(yǐ)可以不與考慮)。
1. PFC 開關管
2. PFC 升壓二極管
3. DC/DC 開關管
4. DC/DC 的整流管、續(xù)流管
5. PFC 升壓電感
6. DC/DC 變壓(yā)器
● PFC 開關(guān)管和(hé)DC/DC 開關管的輻射原理如上麵所述,屬於電(diàn)壓驅動(dòng)模式的驅動源,升(shēng)壓電感(gǎn)和(hé)變壓器屬於(yú)差模騷擾源,主要原因是漏(lòu)感的存(cún)在,導致電磁能量泄露,向(xiàng)外發(fā)射(shè)電(diàn)磁(cí)能量。
● PFC 升壓二極管和(hé)DC/DC 的整流二極管在反向截止時,存在反向恢複電流,如下圖所示:
圖中所示(shì)的是實際測試的PFC 升壓二極管關斷瞬間的反向恢複電流(liú)(不加吸收的情況下),在圖4 中,該反向恢(huī)複電流主要通過C6、VD1、VT2 構成回路,形成差模輻射,另(lìng)外,由於由於引線電感的存在,很小一部分的電流(liú)會通過散熱器與開(kāi)關管VT2 之間的耦合電容C7 向外流,形成共模(mó)輻射。
DC/DC 的整流二極管(guǎn)和續流管的反向恢複電流(liú)會導致二極管(guǎn)的反向電(diàn)壓出現很高的電壓尖峰,下圖 7 是正激電路的輸出濾波電路。
圖7 中,TI 是變(biàn)壓器,VD1、VD2 分(fèn)別是整(zhěng)流管(guǎn)和續流管,由於整(zhěng)流管(guǎn)、續流管在由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止時有反向恢複電(diàn)流,該反向恢複電(diàn)流在VD1、VD2 兩端產生比較高的電壓峰值,由於快恢複二極管(guǎn)的反(fǎn)向恢複電流在幾十nS,所以峰值電壓的頻率較高,其基波頻(pín)率在幾十MHz,由於頻率很高,輻射能力很強,下圖8 是整流管和續流管的電(diàn)壓波形。
在上圖7 中,整流管、續流管固定在散熱器上,散(sàn)熱器接大地(dì),由於二極管的陰極與管殼的散熱板直接相連,管殼的(de)散熱板與散熱器之間就形成了耦合電容,整流管、續流(liú)管在截止時產生的高壓(yā)尖峰就通過(guò)耦(ǒu)合電容流動,產生共(gòng)模輻射,輸出(chū)線和地分(fèn)別(bié)是天線的兩個極。
●開關電源其他的輻(fú)射源如(rú)印製(zhì)線與機殼(ké)之間分布電容引起的共模輻射、內部電路工作時產生的差模輻射等,與前麵的幾個輻射源相比要(yào)小得多。
3.3 輻射(shè)騷擾的(de)解決措施
上麵分析了輻射騷擾產生的原因和開關電源的輻射源,再解決開關電源的輻射問題就比(bǐ)較容易了。
3.3.1 開關管發射源引起(qǐ)的輻射(shè)發射
上麵所介紹的輸(shū)入端口的傳導騷擾,是通過輸入(rù)線向外發射的(de),同時,輸入線(xiàn)又是一個天線,共模電流在流(liú)過輸入線的時候(hòu),就會向空間發射電(diàn)磁能量,產生輻射騷擾,因此對於上麵解決傳導發射的措施,在減小了傳導發射的同時,也大大減小了輸入端口的輻射發射。
對於輻射(shè)源 DC/DC 開(kāi)關管,也(yě)可(kě)以采取與PFC 開關管的相同的措施,來減(jiǎn)小驅動源的電壓幅度,較小輻射發射的強度。
下麵圖 9 是采取在PFC 開關(guān)管散熱器對PFC 輸出地加電容與不加電容輻射強度的對比。
圖中,前麵是加電容的,後麵是不加電容的,從兩個圖中可以看出,在50MHZ 附近,輻射騷擾電平在加了電容(róng)以後降低了盡10DB,在120MHZ 到220MHZ 的頻率範圍內也降低了10DB 左右。
3.3.2 DC/DC 整流(liú)管、續流管發射源
對於 DC/DC 整流管、續流管發射源,除了(le)增加(jiā)吸收,減小二(èr)極管(guǎn)兩(liǎng)端的峰值電壓、在二極管的管腳上套(tào)飽和磁環(huán)以減小反向恢複電流外,還可以采取以下措施。
1. 在整流管、續流管與散熱器的接觸點附近(jìn)對輸出地接電容,如下圖 10 所(suǒ)示:
圖中C2 是二極管(guǎn)VD1 和VD2 與散熱器之間的(de)耦合電容,容量一般在幾十PF,C3 是增加(jiā)的電容,C3 要遠大(dà)於C2,DC/DC 整(zhěng)流管、續流管上的電壓峰值經過C2 與(yǔ)C3 的分壓,幅度(dù)大大降低,就可(kě)以(yǐ)大大減小向外的(de)輻射。
2. 采(cǎi)用如(rú)下(xià)圖 11 所示的電路形式。
在上圖的電路(lù)形式中(zhōng),將(jiāng)輸出濾波電感放(fàng)在輸出的負端,VD1、VD2 的輸出直接接在(zài)輸出濾(lǜ)波電容的正端,這樣,整流管、續流管的陰極接固定電平,通過陰極連接(jiē)的散熱麵與散熱器之間的耦合電容向外流動(dòng)的共模(mó)電(diàn)流就會大大(dà)減小,從而大大(dà)減小輸出端口的輻(fú)射電平。
3.3.3 機(jī)箱屏蔽
開關電源的輻射除了上述的輻射源主要通過輸入輸出端口向外輻(fú)射以外,電源的控製電(diàn)路、驅動、輔助電源、變壓(yā)器、電感等(děng)直(zhí)接向(xiàng)空間輻射電磁能量,因此需要采用機箱(xiāng)進行屏蔽,機箱屏蔽要考慮機箱的材料、厚度和(hé)孔縫對屏蔽效能的影響。
1.吸收損耗
當電磁(cí)波(bō)進(jìn)入金屬屏蔽體後會產生感應電流,變為熱能而消耗掉,所以電磁波進入金(jīn)屬導體中以指(zhǐ)數的方式很快(kuài)衰減,傳輸距離很短。
我們將電磁波衰減到原來(lái) 1/e,即0.37 倍時的距離稱(chēng)為集膚深度δ
集膚深(shēn)度δ與材料的性(xìng)能和頻率有關,可用下麵的公式表示:
公式(shì)中,μ是材料的磁導率,σ是材料的電導率。
2. 反射損耗
當電磁波到達兩種介質表麵時,因阻抗不匹配而(ér)發生反射,所引起的電(diàn)磁波能(néng)量損耗稱為反射損耗。
輻射騷擾所測試的頻率範圍是 30MHz~1000MHz。如果單純的隻(zhī)考慮30MHz 以上的電磁屏蔽,薄薄一層的導體就可以達到(dào)很高的屏(píng)蔽效能,但對於頻(pín)率比較低的電(diàn)場或磁場,就要考慮屏蔽(bì)所使(shǐ)用的材料和厚度了。
3. 孔縫對屏蔽的影(yǐng)響
在實際的(de)應用當中,機箱(xiāng)上(shàng)總是存在有接線孔、通(tōng)風孔以及機箱各麵之間的連接縫隙,如果機箱的孔縫尺寸不合理,將(jiāng)使屏蔽效能大大降低,一般(bān)來說,孔縫的尺寸應小(xiǎo)於十分之(zhī)一到百分之(zhī)一的波長,才能達到相應的(de)屏蔽(bì)效(xiào)果。如果上限頻率按1000MHz 來考慮,孔縫的尺寸應小(xiǎo)於(yú):3~0.3cm。由於開關電源的電磁輻射頻率範圍一般在30MHz 到500MHz 之間,屏蔽的上限頻率可以按500MHz 來考慮。
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